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產(chǎn)品中心

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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心少子壽命測試儀(MDP)MDpicts pro 原位變溫缺陷能級表征系統(tǒng)MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀

高分辨率變溫少子壽命測試儀
產(chǎn)品簡介

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀,系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測量,范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段,再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體,可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。

產(chǎn)品型號:MDpicts pro
更新時間:2026-03-17
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:222
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MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀       

 

用于生產(chǎn)和研究實驗室應(yīng)用的MDpicts pro(高分辨率變溫少子壽命測試儀系統(tǒng))。全自動設(shè)備,以非接觸、無破壞方式繪制材料的電輸運特性。一般來說,MDpicts pro系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測量,范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段,再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體,可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。重點是缺陷再發(fā)射、少數(shù)載流子壽命以及光電導(dǎo)率的溫度相關(guān)測量。研究污染物和電活性晶體缺陷。

 

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀材料: 

MDpicts pro 能夠?qū)缀跛邪雽?dǎo)體進(jìn)行電學(xué)表征 

碲鎘汞|碳化硅 | 化合物半導(dǎo)體 | 氧化物 | 寬帶隙材料 | 鈣鈦礦| 外延層

[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]  and more

 

重點優(yōu)勢: 

1)從窄禁帶材料到寬禁帶材料的全覆蓋測試

2)實現(xiàn)材料缺陷的根本原因分析:無損、靈活且精確

3)空間分辨率高

4)同時具備瞬態(tài)μPCD和穩(wěn)態(tài)MDP測量

5)可定制激光與光學(xué)集成方案,適配各類材料需求

6)原位新型低溫恒溫測試系統(tǒng),

7)支持4英寸樣品測試 

 

技術(shù)規(guī)格:  

 

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀

  

應(yīng)用案例: 

MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測試儀

 

光束誘導(dǎo)電流(LBIC) 

該過程基于對太陽能電池中局部電流(Isc)的測量,該電流通過激光誘導(dǎo)的方式產(chǎn)生 

 

微波探測光致電流瞬態(tài)譜(MD-PICTS) 

為研究半導(dǎo)體中的缺陷,溫度依賴型方法(類似深能級瞬態(tài)譜(DLTS))已被廣泛應(yīng)用。 

 

磷化銦(InP)中缺陷能級的研究 

微波探測光致電流瞬態(tài)譜(MD-PICTS)是研究磷化銦(InP)中缺陷能級的理想方法。例如,對磷化銦的研究表明,退火過程中材料的缺陷含量會發(fā)生變化……

 

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